حالا که با نحوه ی تعریف مقاومت ها، سلف ها و خازن ها در hspice آشنا شدیم زمان آن رسیده تا کمی بیشتر وارد قسمت جدی بحث شبیه سازی مدارات الکترونیکی با hspice شویم و به معرفی ترانزیستور ها بپردازیم. در ادامه این روند را با BJTها شروع می کنیم و قسمت بعدی را هم به ترانزیستورهای اثر میدانی اختصاص خواهیم داد.

نکته ای که خوب است از همین ابتدا به آن توجه داشته باشیم بحث مدل است. حتما از قسمت تعریف مقاومت و خازن ها به یاد دارید که در آنجا می توانستیم مدلی برای عنصر مورد نظرمان تعریف کنیم و برخی پارامترهای مربوط به شبیه سازی عنصر را در آن ذخیره کنیم و البته تعریف مدل در مورد مقاومت و خازن کاملا اختیاری بود. اما حالا که می خواهیم وارد دنیای نیمه هادی ها شویم باید بخاطر داشته باشیم که تعریف مدل برای عنصر نیمه هادی در hspice الزامی است. با این پیش زمینه ی ذهنی به سراغ دستور تعریف BTJ در hspice می رویم.

(بیشتر…)